判斷掃描電鏡能譜中的假峰是一項(xiàng)非常重要的技能，它直接影響到元素分析的準(zhǔn)確性。假峰并非來(lái)自樣品本身，而是由儀器、環(huán)境或物理效應(yīng)產(chǎn)生。

以下是一份詳細(xì)的指南，幫助識(shí)別和判斷常見(jiàn)的假峰類型：

 常見(jiàn)的假峰類型及其特征

1. 和峰

成因：當(dāng)探測(cè)器在短時(shí)間內(nèi)同時(shí)接收兩個(gè)X光子，它會(huì)錯(cuò)誤地將這兩個(gè)光子的能量相加，記錄為一個(gè)更高能量的假峰。

識(shí)別特征：

峰位通常是某個(gè)強(qiáng)峰能量的整數(shù)倍或簡(jiǎn)單加和。例如，一個(gè)很強(qiáng)的Si Ka峰（1.74 keV）可能產(chǎn)生一個(gè)位于約3.48 keV的和峰。

強(qiáng)度規(guī)律：和峰的強(qiáng)度與對(duì)應(yīng)強(qiáng)峰的平方成正比。如果強(qiáng)峰強(qiáng)度增加一倍，和峰強(qiáng)度會(huì)增加約四倍。

通常只在主峰非常強(qiáng)時(shí)才會(huì)出現(xiàn)。

2. 逃逸峰

成因：一個(gè)X光子進(jìn)入探測(cè)器后，激發(fā)了探測(cè)器材料（通常是硅）的原子，產(chǎn)生一個(gè)Si Ka X光子。如果這個(gè)Si Ka光子逃逸出了探測(cè)器，那么原始光子的能量就會(huì)損失掉1.74 keV（Si Ka的能量）。

識(shí)別特征：

峰位總是在某個(gè)真實(shí)峰能量減去1.74 keV的位置。例如，一個(gè)強(qiáng)的Fe Ka峰（6.40 keV）會(huì)伴隨一個(gè)出現(xiàn)在6.40 - 1.74 = 4.66 keV的逃逸峰。

它是硅探測(cè)器固有的特征。

3. 來(lái)自樣品臺(tái)、支架或鏡室的峰

成因：電子束轟擊到了非樣品的金屬部件，如銅樣品臺(tái)、鋁支架、或鏡筒內(nèi)部的金屬，產(chǎn)生了這些材料的特征X射線。

識(shí)別特征：

峰的元素（如Cu、Al、Fe、Ni、Cr、O）在您的樣品成分中無(wú)法解釋。

當(dāng)移動(dòng)樣品到不同位置，或者甚至將電子束打在沒(méi)有樣品的空白區(qū)域時(shí)，這些峰依然存在。

它們通常是彌散性的背景峰。

4. 涂層材料的峰

成因：如果您對(duì)不導(dǎo)電樣品進(jìn)行了噴金、噴碳等處理，電子束會(huì)激發(fā)出涂層材料的特征X射線。

識(shí)別特征：

出現(xiàn)Au、Pd、Pt、C等元素峰，而這些元素并非樣品本身所有。

這是系統(tǒng)性出現(xiàn)的，所有噴鍍過(guò)的樣品都會(huì)有。

5. 高階衍射峰

成因：主要出現(xiàn)在波譜儀中。晶體在衍射一級(jí)譜線的同時(shí)，也可能衍射二級(jí)或三級(jí)譜線。

識(shí)別特征：

峰位出現(xiàn)在某個(gè)強(qiáng)峰能量的2倍或3倍位置附近。

通過(guò)切換不同的分析晶體，峰位會(huì)發(fā)生規(guī)律性變化，從而可以識(shí)別。