非導電樣品在掃描電鏡（SEM）中直接成像時容易出現(xiàn)電荷積累（charging）問題，導致圖像漂移、發(fā)亮斑點或模糊。為了獲得清晰穩(wěn)定的圖像，通常需要以下幾種方法：

1. 樣品導電化處理

金屬噴鍍：用離子濺射儀在樣品表面均勻鍍上一層很薄的金、金鈀合金、鉑或鉻，厚度一般為 5–20 nm。

碳蒸鍍：在需要進行能譜（EDS）分析且避免金屬干擾時，可選擇碳鍍層。

作用原理：在樣品表面形成導電層，使電子束轟擊產生的電荷迅速泄放。

2. 使用低真空（低真空 SEM 或 ESEM）

在樣品腔內引入一定壓力的氣體（如水蒸氣），使電子束打在樣品表面產生的電荷通過氣體離子化過程中和。

優(yōu)點：無需導電涂層，可直接觀察濕樣品、生物樣品、粉末等。

缺點：分辨率略低于高真空模式。

3. 低加速電壓成像

將加速電壓降至 1–5 kV，減少電子束在樣品中的穿透深度，從而降低電荷積累速度。

常與表面靈敏的探測器（如 InLens 或 SE2）配合使用。

4. 在樣品臺與樣品間增加導電連接

在樣品與樣品臺之間涂少量導電膠（銀膠、碳膠）或使用導電銅膠帶，確保涂層或樣品直接接地。

對于局部不導電的樣品，可以局部涂導電膠連接到鍍膜區(qū)域。

5. 光束掃描優(yōu)化

使用快速掃描 + 多次累積的方法減少單次束流停留時間，降低充電效應。

避免長時間在同一區(qū)域靜止曝光。