當(dāng)掃描電鏡（SEM）圖像變亮或出現(xiàn)過曝現(xiàn)象時(shí)，說明圖像中部分區(qū)域亮度過高，導(dǎo)致細(xì)節(jié)丟失、圖像偏白或泛光。造成這種現(xiàn)象的原因多種多樣，以下是常見原因及對(duì)應(yīng)的處理方法：

常見原因及處理方法

1. 電子束電流過高

原因：電子束電流設(shè)置太大，信號(hào)強(qiáng)度過強(qiáng)，圖像亮度異常。

處理：適當(dāng)調(diào)低 電子束電流（Beam Current） 或 **亮度（Brightness）設(shè)置。

2. 探測(cè)器增益設(shè)置過高

原因：二次電子探測(cè)器或背散射探測(cè)器的增益（Gain）過高。

處理：降低探測(cè)器增益或?qū)Ρ榷仍O(shè)置，避免圖像信號(hào)被放大過多。

3. 工作距離不當(dāng)

原因：工作距離（WD）過近導(dǎo)致信號(hào)強(qiáng)度集中，成像局部過亮。

處理：適當(dāng)增加工作距離，使電子束在樣品上的掃描范圍更合理。

4. 樣品帶電

原因：非導(dǎo)電樣品未噴金或接地不好，電荷積聚導(dǎo)致電子束散射不均勻，局部放電發(fā)亮。

處理：

預(yù)先噴鍍一層導(dǎo)電材料（如金、碳）；

使用低真空模式或環(huán)境 SEM；

在樣品背面用導(dǎo)電膠接地。

5. 曝光時(shí)間過長(zhǎng)（Slow scan）

原因：長(zhǎng)時(shí)間掃描可能造成部分像素過曝。

處理：選擇適中或快速掃描模式，避免局部區(qū)域曝光過度。

6. 樣品局部高反射/高原子序

原因：金屬顆粒或高原子序元素區(qū)域反射信號(hào)強(qiáng)，造成圖像局部過亮。

處理：

適當(dāng)降低放大倍率查看整體結(jié)構(gòu)；

或使用背散射電子圖像代替觀察。