掃描電子顯微鏡（SEM）是一種強大的顯微鏡，它使用電子束而不是光來照射樣品，從而實現更高的分辨率。SEM中的二次電子探測是一種常見的顯微鏡技術，用于觀察樣品表面的拓撲和形貌特征。以下是SEM二次電子探測的基本原理：

電子束照射： SEM通過電子槍產生高能電子束，通常加速至數千伏到數十千伏的能量。這個高能電子束被聚焦成一個細小的束，并通過一系列的透鏡和磁場來控制其方向和聚焦度。

樣品表面交互： 電子束照射樣品表面時，樣品中的原子會與電子相互作用。這些相互作用包括電子散射、逸出電子、次級電子和背散射電子等。其中，次級電子是SEM二次電子探測的主要來源。

次級電子產生： 電子束與樣品表面原子相互作用時，能量轉移導致從樣品表面釋放出來的電子，這些電子被稱為次級電子。這些次級電子是從樣品表面深度相對較淺的區(qū)域產生的。

探測器收集： 一枚稱為二次電子探測器的器件用于收集和檢測從樣品表面發(fā)射的次級電子。這個探測器通常位于SEM的側面，靠近樣品。

信號處理和成像： 探測器收集到的次級電子信號被放大、處理和轉換成圖像。通過掃描電子束在樣品表面移動，可以獲取樣品表面的圖像，這些圖像顯示了樣品表面的拓撲、形貌和結構特征。

SEM二次電子探測的優(yōu)點包括高分辨率、表面拓撲信息、深度穿透能力較低（通常在納米尺度范圍內），以及對導電和非導電樣品都有較好的適用性。這使得SEM二次電子探測成為材料科學、生命科學、納米技術和許多其他領域的重要工具，用于觀察和研究微小結構和表面形貌。

ZEM18臺式掃描電鏡

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